EPC2103

功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

制造商:epc

系列:eGaN?

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

FET 功能:GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss):80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 20A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):760pF @ 40V

功率 - 最大值:-

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:模具

供应商器件封装:模具

标准包装:1

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